Samsung a început producția în masă a modulelor RAM DDR5 realizate cu ajutorul procesului de fabricație EUV pe 14 nm ce permite viteze de până la 7.2 Gbps. Aceste module sunt destinate data centerelor și aplicațiilor AI, oferind performanțe duble față de standardul DDR4. Utilizarea procesului de fabricație EUV pe 14 nm permite o creștere considerabilă a densității modulelor, capacitatea acestora putând ajunge în prezent până la 768 GB, dar și o creștere semnificativă a lățimii de bandă.
Samsung are în plan integrarea unor IC-uri de 24 GB, lucru ce ar permite realizarea de module DDR5 cu capacitate de până la 1.5 TB. De asemenea, procesul de fabricație Samsung vine și cu o serie de alte beneficii. Randamentul liniilor de fabricație a crescut cu 20%, iar consumul de energie al modulelor este cu 20% mai mic.
